GCQ-33-AD5V0-A1-AD 无功功率变送器资料

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用 广，8%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的直径已达3毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制 、磷化镓、磷化铟等压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。

　　本系列塑壳断路器执行GB14048.2-2001标准，产品通过 强制性CCC认证。电涌保护器适用于交流50Hz/60Hz，额定工作电压为400V及以下的TT、IT、TN-S、TN-C、TN-C-S等供电系统，可作为雷击时等电位连接。

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